| 符号 | 参数名称 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSM | 断态不重复峰值电压 | 5400~6500 | V |
| IT(AV) | 通态平均电流 | 2100 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 50.0 | kA |
| VTO | 门槛电压 | 1.25 | V |
| rT | 斜率电阻 | 0.412 | mΩ |
| 器件型号 | VDSM / VRSM (V) | 测试条件 |
|---|---|---|
| KPB2100‑54 | 5400 | Tvj=25/125℃;门极断路;tp=10ms;VDRM=VDSM‑900V,VRRM=VRSM‑900V |
| KPB2100‑58 | 5800 | |
| KPB2100‑62 | 6200 | |
| KPB2100‑65 | 6500 |
| 符号 | 参数名称 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| RthJC | 结壳热阻 | - | - | 0.011 | K/W |
| RthCH | 界面接触热阻 | - | - | 0.002 | K/W |
| Tvj | 内部等效结温 | -40 | - | 125 | ℃ |
| Tstg | 贮存温度 | -40 | - | 140 | ℃ |
| F | 标准紧固力 | - | 60 | - | kN |
| H | 器件高度 | 26.7 | - | 27.7 | mm |
| m | 器件质量 | - | 1.44 | - | kg |
| - | 紧压状态下加速度 | - | - | 100 | m/s² |
| - | 非紧压状态下加速度 | - | - | 50 | m/s² |
| Ds | 爬电距离 | - | 44 | - | mm |
| Da | 电气间隙 | - | 15 | - | mm |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| IT(AV) | 通态平均电流 | 正弦半波, TC=70℃ | 2100 | A |
| IT(RMS) | 通态方均根电流 | TC=70℃ | 3300 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | Tvj=125℃,10ms正弦半波,VR=0 | 50.0 | kA |
| I²t | 电流平方时间积 | 10ms正弦波 | 1250×10⁴ | A²s |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| VTM | 通态峰值电压 | Tvj=125℃, ITM=3500A | 2.49 | V |
| IDRM/IRRM | 断态/反向重复峰值电流 | Tvj=25/125℃,门极断路,额定电压 | 600 | mA |
| VTO | 门槛电压 | Tvj=125℃ | 1.25 | V |
| rT | 斜率电阻 | Tvj=125℃ | 0.412 | mΩ |
| IH | 维持电流 | Tvj=25℃ | 200 | mA |
| IL | 擎住电流 | Tvj=25℃ | 1000 | mA |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 规格 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| dv/dt | 断态电压临界上升率 | Tvj=125℃,线性上升至0.67VDRM | 最小2000 | V/μs |
| di/dt | 通态电流临界上升率 | Tvj=125℃, ITM=3500A, IFG=2A, tr=0.5μs | 最大200 | A/μs |
| tq | 关断时间 | Tvj=125℃, IT=2100A,dv/dt=20V/μs,VR=200V,‑di/dt=1.5A/μs | 典型800 | μs |
| Qrr | 反向恢复电荷 | Tvj=125℃,‑di/dt=1.5A/μs,IT=2100A,VR=200V | 典型5000 | μC |
| 符号 | 参数名称 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IGT | 门极触发电流 | - | - | 300 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | - | - | 3 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | 0.3 | - | - | V |
| VFGM | 门极正向峰值电压 | - | - | 12 | V |
| VRGM | 门极反向峰值电压 | - | - | 10 | V |
| IFGM | 门极正向峰值电流 | - | - | 10 | A |
| PGM | 门极峰值功率 | - | - | 20 | W |
| PG(AV) | 门极平均功率 | - | - | 4 | W |
通态伏安特性模型公式: \(V_{T}=A_{1}+B_{1}\sqrt{I_{T}}+C_{1}I_{T}+D_{1}\ln I_{T}\)
| 温度 | A₁ | B₁ | C₁ | D₁ |
|---|---|---|---|---|
| 25℃ | 1.286 | -4.816×10⁻³ | 2.674×10⁻⁴ | 0.0753 |
| 125℃ | 1.030 | -3.275×10⁻³ | 4.254×10⁻⁴ | 0.0450 |
瞬态热阻抗模型公式: \(Z_{th(j‑c)}(t)=\sum_{i=1}^{n} R_{i}\left(1‑e^{-t / \tau_{i}}\right)\)
| i | Rᵢ (K/kW) | τᵢ (s) |
|---|---|---|
| 1 | 4.701 | 0.5463 |
| 2 | 1.401 | 0.0746 |
| 3 | 0.611 | 0.0087 |
| 4 | 0.298 | 0.0021 |
推荐门极驱动条件: \(I_{GM}≈2.5\sim6A\);\(I_{G(on)}≥800mA\);\(di_G/dt≥2A/μs\);\(t_r≤1μs\);\(t_p(I_{GM})=5\sim20μs\)
注:外形图纸、伏安曲线、热阻抗曲线、功耗‑壳温、浪涌I²t、门极波形图全部移除,仅保留仿真数学系数。