KPB 1900‑54~65 普通相控晶闸管 数据手册
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部 Semiconductor Business Unit, Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Limited
关键参数 Key Parameters
| 符号 |
参数名称 |
数值 |
单位 |
| VDSM |
断态不重复峰值电压 |
5400~6500 |
V |
| IT(AV) |
通态平均电流 |
1800 |
A |
| ITSM |
通态不重复浪涌电流 |
50.0 |
kA |
| VTO |
门槛电压 |
1.25 |
V |
| rT |
斜率电阻 |
0.412 |
mΩ |
应用 Applications
- 牵引传动 Traction drive
- 电机驱动 Motor drive
- 工业变流器 Industry converter
器件特点 Features
- 平板压装,双面冷却 Double‑side cooling
- 低损耗 Low loss
电压额定值 Voltage Ratings
| 器件型号 |
VDSM / VRSM (V) |
测试条件 |
| KPB1900‑54 |
5400 |
Tvj=25/125℃;IDRM、IRRM ≤600mA;门极断路;tp=10ms;VDRM=VDSM‑900V,VRRM=VRSM‑900V |
| KPB1900‑58 |
5800 |
| KPB1900‑62 |
6200 |
| KPB1900‑65 |
6500 |
热与机械数据 Thermal & Mechanical Data
| 符号 |
参数名称 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
| RthJC |
结壳热阻 |
- |
- |
0.009 |
K/W |
| RthCH |
界面接触热阻 |
- |
- |
0.002 |
K/W |
| Tvj |
内部等效结温 |
-40 |
- |
125 |
℃ |
| Tstg |
贮存温度 |
-40 |
- |
140 |
℃ |
| F |
标准紧固力 |
- |
70 |
- |
kN |
| H |
器件高度 |
35.3 |
- |
36.3 |
mm |
| m |
器件质量 |
- |
1.73 |
- |
kg |
| - |
紧压状态下加速度 |
- |
- |
100 |
m/s² |
| - |
非紧压状态下加速度 |
- |
- |
50 |
m/s² |
| Ds |
爬电距离 |
- |
48 |
- |
mm |
| Da |
电气间隙 |
- |
22 |
- |
mm |
电流额定值 Current Ratings
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
最大值 |
单位 |
| IT(AV) |
通态平均电流 |
正弦半波, TC=70℃ |
1800 |
A |
| IT(RMS) |
通态方均根电流 |
TC=70℃ |
2830 |
A |
| ITSM |
通态不重复浪涌电流 |
Tvj=125℃,10ms正弦半波,VR=0 |
50.0 |
kA |
| I²t |
电流平方时间积 |
10ms正弦波 |
1250×10⁴ |
A²s |
静态特性 Characteristic Parameters
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
最大值 |
单位 |
| VTM |
通态峰值电压 |
Tvj=125℃, ITM=3000A |
2.49 |
V |
| IDRM/IRRM |
断态/反向重复峰值电流 |
Tvj=25/125℃,门极断路,额定电压 |
600 |
mA |
| VTO |
门槛电压 |
Tvj=125℃ |
1.25 |
V |
| rT |
斜率电阻 |
Tvj=125℃ |
0.412 |
mΩ |
| IH |
维持电流 |
Tvj=25℃ |
200 |
mA |
| IL |
擎住电流 |
Tvj=25℃ |
1000 |
mA |
动态参数 Dynamic Parameters
| 符号 |
参数名称 |
测试条件 |
规格 |
单位 |
| dv/dt |
断态电压临界上升率 |
Tvj=125℃,线性上升至0.67VDRM |
最小2000 |
V/μs |
| di/dt |
通态电流临界上升率 |
Tvj=125℃, ITM=3000A, IFG=2A, tr=0.5μs |
最大200 |
A/μs |
| tq |
关断时间 |
Tvj=125℃, IT=2000A,dv/dt=20V/μs,VR=200V,‑di/dt=1.5A/μs |
典型800 |
μs |
| Qrr |
反向恢复电荷 |
Tvj=125℃,‑di/dt=1.5A/μs,IT=2000A,VR=200V |
典型5000 |
μC |
门极参数 Gate Parameters
| 符号 |
参数名称 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
| IGT |
门极触发电流 |
- |
- |
300 |
mA |
| VGT |
门极触发电压 |
- |
- |
3 |
V |
| VGD |
门极不触发电压 |
0.3 |
- |
- |
V |
| VFGM |
门极正向峰值电压 |
- |
- |
12 |
V |
| VRGM |
门极反向峰值电压 |
- |
- |
10 |
V |
| IFGM |
门极正向峰值电流 |
- |
- |
10 |
A |
| PGM |
门极峰值功率 |
- |
- |
20 |
W |
| PG(AV) |
门极平均功率 |
- |
- |
4 |
W |
补充模型参数(伏安与瞬态热阻抗,原手册图表移除,保留拟合系数)
通态伏安特性模型公式: \(V_{T}=A_{1}+B_{1}\sqrt{I_{T}}+C_{1}I_{T}+D_{1}\ln I_{T}\)
| 温度 |
A₁ |
B₁ |
C₁ |
D₁ |
| 25℃ |
1.286 |
-4.816×10⁻³ |
2.674×10⁻⁴ |
0.0753 |
| 125℃ |
1.030 |
-3.275×10⁻³ |
4.254×10⁻⁴ |
0.0450 |
瞬态热阻抗模型公式: \(Z_{th(j‑c)}(t)=\sum_{i=1}^{n} R_{i}\left(1‑e^{-t / \tau_{i}}\right)\)
| i |
Rᵢ (K/kW) |
τᵢ (s) |
| 1 |
6.752 |
0.6958 |
| 2 |
1.673 |
0.1084 |
| 3 |
0.428 |
0.0091 |
| 4 |
0.156 |
0.0022 |
注:所有原始曲线、外形图纸已全部移除,仅保留可用于仿真计算的数学系数。